静電容量型シリコンリングジャイロセンサ（ジャイロセンサー）ＣＲＳ10

製品紹介

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㈱シリコンセンシングシステムジャパンでは、自社開発の車載用MEMSジャイロセンサの実績　（累計1900万個以上）を生かし、お客様のニーズにお応えしたMEMS生産受託を行います。

ICPエッチング、ガラス加工、フォトリソ、陽極接合、成膜など、自社製品であるジャイロセンサの実績を生かし、加工・試作から量産までMEMSデバイスの試作、開発、製造工程においてお客様のご要望にお応えします。

試作～量産まで対応します

※10年以上のジャイロ生産の実績があり、バルクMEMSのプロセスをほぼ網羅しています。

■主要技術に基づく処理可能プロセス

主要技術	工程	プロセス仕様	備考	対応サイズ
Si深堀エッチング	Deep RIE（枚葉）	最小線幅：L/S1.5μｍﾎｰﾙΦ10μｍ最大アスペクト比：100	基板貫通加工の対応も可能	４インチ５インチ６インチ
ガラス加工	ブラスト加工 (バッチ）	最小線幅：L/S15μｍﾎｰﾙ50μｍピッチ
ガラス加工	ガラスエッチング（バッチ）	最小線幅：L/S10μｍ最大深さ：300μｍ
成膜	スパッタ（枚葉）	膜厚均一性：面内5％以内膜厚範囲：10nm～2μｍ	Au、Al、Ti、Cr等上記以外の成膜も可能
成膜	蒸着（枚葉）	膜厚均一性：面内15％以内最大膜厚：2μｍ	Au、Al、Ti、Cr等上記以外の成膜も可能
接合	陽極接合（枚葉）（Si/ガラス）	封止内部圧力：>0.01Pa	共晶接合、ハンダ接合、ガラスフリット接合、接着材接合も可能

■付随技術に基づく処理可能プロセス

付随技術	工程	プロセス仕様	備考	対応サイズ
酸化、拡散	酸化（バッチ）	膜厚均一性：面内10％以内最大膜厚：1μｍ	ドライ、ウェット	４インチ５インチ６インチ
酸化、拡散	アニール（バッチ）
フォトリソ	レジスト塗布（枚葉）	ポジレジスト膜厚均一性：面内5％以内最大膜厚：10μｍ	段差のある基板へのレジスト塗布も対応可能（スプレーコート）
	露光（枚葉）	最小線幅：L/S1.5μｍ	ミラープロジェクション露光
	露光（枚葉）	最小線幅：L/S3μｍ両面アライメント可能	コンタクト/ プロキシミティ露光
	現像（枚葉）		有機アルカリ、無機アルカリ
	ドライフィルム（枚葉）	最小線幅：L/S15μｍ　　　　　ﾎｰﾙΦ50μｍ
エッチング	ウェットエッチング（バッチ）	Au、Al、Ti、Cr等
評価	干渉式膜厚測定触針式段差計 Zygo SEM

成膜サービス

■弊社の圧電薄膜（PZT）成膜サービスの特徴

高い信頼性・量産実績があり、安定した成膜が可能です。
短納期対応・最短で１週間で出荷致します。（別途ご相談）
少量ロット対応　・試作１枚から承ります。
安価・費用は、お問い合わせ下さい。

■成膜スペック

仕様	装置	アルバック製スパッタ装置　SME-200
	圧電膜種	PZT薄膜
	PZT膜厚	1～3μｍ（5μｍまで対応可能）
	比誘電率εr	1000
	圧電特性d31	140 pm/V
	ウェハサイズ	4・5・6インチ
	基板	Si基板
処理可能プロセス		PZT成膜、下部電極成膜、上部電極成膜、精密パターンニング
検査	膜厚	断面SEMによる膜厚測定
	配向性	XRDによる結晶軸の検査
	比誘電率	電極形成しLCRメーターで計測
	圧電特性	弊社標準振動素子の共振ゲインから算出

※比誘電率および圧電特性はPZT厚み3μｍで分極後の代表値

■センサ・MEMSデバイス応用事例

■弊社の真空シーム溶接サービスの特徴

高い信頼性・量産実績があり、安定した気密封止が可能です。
短納期対応・最短で１週間で出荷致します。（別途ご相談）
少量ロット対応・少量試作から承ります。
安価・費用は、お問い合わせ下さい。

■シーム溶接スペック