静電容量型シリコンリングジャイロセンサ(ジャイロセンサー)CRS10
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MEMS ファンドリーサービス
- ㈱シリコンセンシングシステムジャパンでは、自社開発の車載用MEMSジャイロセンサの 実績 (累計1800万個以上)を生かし、お客様のニーズにお応えした生産受託を行います。
特長
ICPエッチング、ガラス加工、フォトリソ、陽極接合、成膜など、自社製品であるジャイロセンサの実績を生かし、加工・試作から量産までMEMSデバイスの試作、開発、製造工程においてお客様のご要望にお応えします。

MEMSでの実績

※10年以上のジャイロ生産の実績があり、バルクMEMSのプロセスをほぼ網羅しています。
ファンドリーサービスフロー

プロセスメニュー一覧
■主要技術に基づく処理可能プロセス
| 主要技術 | 工程 | プロセス仕様 | 備考 | 対応サイズ |
|---|---|---|---|---|
| Si深堀 エッチング |
Deep RIE(枚葉) | 最小線幅:L/S5μm ホールΦ10μm 最大アスペクト比:100 |
基板貫通加工の 対応も可能 |
4インチ 5インチ 6インチ |
| ガラス加工 | ブラスト加工 (バッチ) |
最小線幅:L/S15μm ホール50μmピッチ |
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| ガラスエッチング (バッチ) |
最小線幅:L/S10μm 最大深さ:300μm |
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| 成膜 | スパッタ(枚葉) | 膜厚均一性:面内5%以内 膜厚範囲:10nm~2μm |
Au、Al、Ti、Cr等 上記以外の成膜も可能 |
|
| 蒸着(枚葉) | 膜厚均一性:面内15%以内 最大膜厚:2μm |
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| 接合 | 陽極接合(枚葉) (Si/ガラス) |
封止内部圧力:>0.01Pa | 共晶接合、ハンダ接合、 接着材接合も可能 |
■付随技術に基づく処理可能プロセス
| 付随技術 | 工程 | プロセス仕様 | 備考 | 対応サイズ |
|---|---|---|---|---|
| 酸化、拡散 | 酸化(バッチ) | 膜厚均一性:面内10%以内 最大膜厚:1μm |
ドライ、ウェット | 4インチ 5インチ 6インチ |
| アニール (バッチ) |
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| フォトリソ | レジスト塗布 (枚葉) |
ポジレジスト 膜厚均一性:面内5%以内 最大膜厚:10μm |
段差のある基板への レジスト塗布も対応可能 (スプレーコート) |
|
| 露光(枚葉) | 最小線幅:L/S1.5μm | ミラープロジェクション 露光 |
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| 最小線幅:L/S3μm 両面アライメント可能 |
コンタクト/ プロキシミティ露光 |
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| 現像(枚葉) | 有機アルカリ、 無機アルカリ |
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| ドライフィルム (枚葉) |
最小線幅:L/S15μm ホールΦ50μm |
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| エッチング | ウェットエッチング (バッチ) |
Au、Al、Ti、Cr等 | ||
| 評価 | 干渉式膜厚測定 触針式段差計 Zygo SEM |
加工例
■ICP エッチング (Deep RIE)

(貫通穴加工例)

(円柱立て加工例)
■ガラスブラスト加工

(キャビティー加工例)

(貫通加工例)

■高真空気密封止 (陽極接合)

■貫通電極形成

■ウエハレベルパッケージ

主要生産設備
■ICPエッチング装置
ICPエッチング装置は、STS社製の装置を保有。高アスペクト比のSiエッチングが可能です。

(STS SR-type)

(STS HRM-type)

(STS PEGASUS-type)

- ■ブラスト加工装置
- ■スパッタ装置
- ■スプレーコ―ター
- ■アライナー
- ■ウエハ接合装置