Skip Navigation. Press[2]key.

静電容量型シリコンリングジャイロセンサ(ジャイロセンサー)CRS10

製品紹介

HOME>製品紹介>MEMS ファンドリーサービス

MEMS ファンドリーサービス

超小型MEMSシリコンリングジャイロ CRS10
㈱シリコンセンシングシステムジャパンでは、自社開発の車載用MEMSジャイロセンサの 実績 (累計1900万個以上)を生かし、お客様のニーズにお応えしたMEMS生産受託を行います。

ファンドリーの特徴MEMSでの実績

ファンドリーサービスフロープロセスメニュー一覧

NEW 圧電薄膜(PZT)成膜サービスNEW 真空シーム溶接サービス

加工例主要生産設備

お問い合わせはこちら

特長

ICPエッチング、ガラス加工、フォトリソ、陽極接合、成膜など、自社製品であるジャイロセンサの実績を生かし、加工・試作から量産までMEMSデバイスの試作、開発、製造工程においてお客様のご要望にお応えします。

プロセス一覧はこちら››

試作~量産まで対応します

MEMSでの実績

MEMSでの実績画像

※10年以上のジャイロ生産の実績があり、バルクMEMSのプロセスをほぼ網羅しています。

お問い合わせはこちら

ファンドリーサービスフロー

ファンドリーサービスフロー

お問い合わせはこちら

プロセスメニュー一覧

■主要技術に基づく処理可能プロセス

主要技術 工程 プロセス仕様 備考 対応サイズ
Si深堀
エッチング
Deep RIE(枚葉) 最小線幅:L/S1.5μm
ホールΦ10μm
最大アスペクト比:100
基板貫通加工の
対応も可能
4インチ
5インチ
6インチ
ガラス加工 ブラスト加工
(バッチ)
最小線幅:L/S15μm
ホール50μmピッチ
 
ガラスエッチング
(バッチ)
最小線幅:L/S10μm
最大深さ:300μm
 
成膜 スパッタ(枚葉) 膜厚均一性:面内5%以内
膜厚範囲:10nm~2μm
Au、Al、Ti、Cr等
上記以外の成膜も可能
蒸着(枚葉) 膜厚均一性:面内15%以内
最大膜厚:2μm
接合 陽極接合(枚葉)
(Si/ガラス)
封止内部圧力:>0.01Pa

共晶接合、ハンダ接合、
ガラスフリット接合、

接着材接合も可能

■付随技術に基づく処理可能プロセス

付随技術 工程 プロセス仕様 備考 対応サイズ
酸化、拡散 酸化(バッチ) 膜厚均一性:面内10%以内
最大膜厚:1μm
ドライ、ウェット 4インチ
5インチ
6インチ
アニール
(バッチ)
   
フォトリソ レジスト塗布
(枚葉)
ポジレジスト
膜厚均一性:面内5%以内
最大膜厚:10μm
段差のある基板への
レジスト塗布も対応可能
(スプレーコート)
露光(枚葉) 最小線幅:L/S1.5μm ミラープロジェクション
露光
最小線幅:L/S3μm
両面アライメント可能
コンタクト/
プロキシミティ露光
現像(枚葉)   有機アルカリ、
無機アルカリ
ドライフィルム
(枚葉)
最小線幅:L/S15μm      
ホールΦ50μm
 
エッチング ウェットエッチング
(バッチ)
Au、Al、Ti、Cr等  
評価 干渉式膜厚測定
触針式段差計
Zygo
SEM
   

お問い合わせはこちら

圧電薄膜(PZT)成膜サービス

成膜サービス

■弊社の圧電薄膜(PZT)成膜サービスの特徴

高い信頼性・量産実績があり、安定した成膜が可能です。
短納期対応・最短で1週間で出荷致します。(別途ご相談)
少量ロット対応 ・試作1枚から承ります。
安価・費用は、お問い合わせ下さい。

お問い合わせはこちら

■成膜スペック

仕様 装置 アルバック製スパッタ装置 SME-200
圧電膜種 PZT薄膜
PZT膜厚 1~3μm(5μmまで対応可能)
比誘電率εr 1000
圧電特性d31 140 pm/V
ウェハサイズ 4・5・6インチ
基板 Si基板
処理可能プロセス PZT成膜、下部電極成膜、上部電極成膜、精密パターンニング
検査 膜厚 断面SEMによる膜厚測定
配向性 XRDによる結晶軸の検査
比誘電率 電極形成しLCRメーターで計測
圧電特性 弊社標準振動素子の共振ゲインから算出

※比誘電率および圧電特性はPZT厚み3μmで分極後の代表値

■センサ・MEMSデバイス応用事例

  • ・加速度センサ ・インクジェットヘッド ・MEMSマイクロフォン ・マイクロポンプ
  • ・ジャイロセンサ ・RF-MEMS ・超音波センサ
  • ・圧力センサ ・MEMSミラー ・エネルギーハーベスタ

お問い合わせはこちら

真空シーム溶接サービス

真空シーム溶接サービス

■弊社の真空シーム溶接サービスの特徴

高い信頼性 ・量産実績があり、安定した気密封止が可能です。
短納期対応 ・最短で1週間で出荷致します。(別途ご相談)
少量ロット対応 ・少量試作から承ります。
安価 ・費用は、お問い合わせ下さい。

お問い合わせはこちら

■シーム溶接スペック

仕様 装置 日本アビオニクス製 NAW-1265B
溶接種類 シーム溶接
真空度 高真空:10-3 Pa 以下
低真空:30 Pa 以下
大気封止:N2 による封止
処理可能プロセス 脱ガス、溶接、検査(リークテスト)

お問い合わせはこちら

加工例

■ICP エッチング (Deep RIE)

(貫通穴加工例)

(貫通穴加工例)

(円柱立て加工例)

(円柱立て加工例)

■ガラスブラスト加工

(キャビティー加工例)

(キャビティー加工例)

(貫通加工例)

(貫通加工例)

(貫通加工例2)

■高真空気密封止 (陽極接合)

■貫通電極形成

貫通電極形成

■ウエハレベルパッケージ

ガラスキャビティ加工

お問い合わせはこちら

主要生産設備

■ICPエッチング装置

ICPエッチング装置は、STS社製の装置を保有。高アスペクト比のSiエッチングが可能です。

(STS SR-type)

(STS SR-type)

(STS SR-type)

(STS HRM-type)

(STS PEGASUS-type)

(STS PEGASUS-type)

-
  • ■ブラスト加工装置
  • ■スパッタ装置
  • ■スプレーコ―ター
  • ■アライナー
  • ■ウエハ接合装置

お問い合わせはこちら